射频MEMS开关中金属剥离工艺研究
陈光红1
吴清鑫1
于映2
罗仲梓3
1.苏州市职业大学电子信息工程系,江苏苏州,2151042.南京邮电大学通讯与信息工程学院,江苏南京,2100033.厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门,361005
摘要：研究用BP212正性光刻胶（浸泡氯苯）、AZP4620正性光刻胶（浸泡氯苯）、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量．用扫描电镜（SEM）观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形，并分析不同侧壁图形的形成机理，找出最佳工艺参数，并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离．
关键词：BP212AZP4620AZ5214E氯苯浸泡剥离
分类号：TN304(半导体技术)
资助基金：国家青年基金(60301006)福建省自然科学基金(A0310012)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 10-13 )
英文信息