应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态
董瑞兰
孙富根
穆俊林
1.新乡医学院第二附属医院精神科,河南省,新乡市,4530022.新乡医学院第二附属医院精神科,河南省,新乡市,4530023.新乡医学院第二附属医院精神科,河南省,新乡市,453002
摘要：目的:探讨精神分裂症患者P300电位与智商的变化,判定P300电位在评价此类患者智力方面的作用.方法:对40)例精神分裂症患者和38例健康者分别进行了P300电位测定和韦氏成人智力量表(WAIS-RC)评定.结果:精神分裂症患者的P300电位波潜伏期(ms)延长(354.7±28.9),波幅(μV)降低(2.2±1.6),与对照组相比差异有显著性意义(t=2.58,P＜0.01),WAIS-RC量表测验发现言语智商、操作智商及总智商均低于对照组,有显著性差异(t=2.65,2.72,3.10,P＜0.01).相关分析显示P300波潜伏期与各智商呈显著负相关(r=-0.28～-0.33,P＜0.05),波幅与言语智商及总智商呈显著正相关(r=0.29～0.32,P＜0.05).结论:P300电位在评价精神分裂症患者智能方面具有重要意义,可作为一项客观的电生理学指标应用于临床.
关键词：精神分裂症智商诱发电位
分类号：R749.3(精神病学)
论文发表日期：2004-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 2820-2821 )
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