事件相关电位对短暂性脑缺血发作患者认知功能的评估
董艳娟1
王荫华2
1.北京大学医学部第一附属医院神经内科,北京市,100034;解放军北京军区总医院老年神经内科,北京市,1007002.北京大学医学部第一附属医院神经内科,北京市,100034
摘要：目的:对短暂性脑缺血发作患者的事件相关电位进行研究,以发现短暂性脑缺血发作是否对患者的认知功能有影响.方法:2002-12/2003-12解放军北京军区总医院干部病房收治短暂性脑缺血发作患者28例,年龄42～81岁;年龄、性别及受教育程度匹配的对照组28例.应用经典的Oddball刺激模式,对所有受试者进行P300的测试.结果:病例组P300的潜伏期较对照组延长[Fz:(363.6±39.2)ms,Cz:(355.0±41.5)ms,Pz:(357.0±42.0)ms,P＜0.01],波幅降低[Fz:(3.0±1.7)μV,Cz:(2.8±1.6)μV,Pz:(3.3±1.5)μV,P＜0.05].结论:短暂性脑缺血发作对患者的认知功能是有一定影响的.
关键词：脑缺血发作短暂性事件相关电位P300认知
分类号：R743(神经病学与精神病学)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 22-23 )
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