短时低频电刺激体外培养许旺细胞髓鞘的形成
万丽丹1
丁文龙2
李峰2
夏蓉2
朱浩2
刘德明1
林雪群1
1.南昌大学医学院解剖学教研室,江西省南昌市,3300062.上海交通大学医学院解剖学教研室,上海市,200025
摘要：背景:周围神经系统损伤后,短时低频电刺激已被证明可显著促进轴突再生和选择性功能修复,但目前对电刺激是否影响周围神经髓鞘的形成还知之甚少,而电刺激发挥作用究竟是通过神经元还是许旺细胞还有待证实.目的:建立体外背根神经元与许旺细胞联合培养模型,观察短时低频电刺激对许旺细胞髓鞘形成的影响.方法:体外培养背根神经元,纯化后预先施予电刺激(20 Hz,100 μs,3 V),持续作用1 h,24 h后再加入许旺细胞悬液制成背根神经元/许旺细胞联合培养模型.在此基础上,用L-ascorbic acid诱导髓鞘形成,分别于诱导后第7,14天观察培养体系中髓鞘的形成.结果与结论:电刺激增强背根神经元分泌脑源性神经营养因子(P < 0.05),经电刺激作用的背根神经元再与许旺细胞联合培养,最终表现为髓鞘形成增多以及髓鞘蛋白表达上调(P < 0.05).提示短时低频电刺激对体外许旺细胞髓鞘的形成具有促进作用,初步认为该作用至少通过刺激神经元分泌脑源性神经营养因子增多导致.
关键词：电刺激髓鞘联合培养背根神经元许旺细胞神经组织构建
分类号：R394.2(医学遗传学)
资助基金：上海市重点学科建设项目(S30201)
论文发表日期：2010-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 8411-8415 )
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