氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在不同介质溶液中的电学稳定性
张玉勤
吴回君
蒋业华
周荣
1.昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,6500932.昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,6500933.昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,6500934.昆明理工大学材料科学与工程学院,云南省昆明市,650093
摘要：背景:在电化学基因芯片中,氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜载体材料的化学修饰、DNA杂交反应等需要在不同的介质溶液中进行,而各种介质溶液腐蚀会对其性能产生较大的影响,甚至出现性能劣化或失效现象.目的:观察氟掺杂氧化锡薄膜载体材料在NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.方法:利用相对电阻变化(ΔR/R)方法观察了氟掺杂氧化锡薄膜在温度分别为25 ℃和50 ℃、浓度为1 mol/L的NaOH、NaCl、Na2SO4介质溶液中的电学稳定性.结果与结论:在3种介质溶液中,氟掺杂氧化锡薄膜在25 ℃的NaCl和Na2SO4溶液中ΔR/R值变化极小,而在25 ℃的NaOH溶液中ΔR/R值变化要远大于前两者;氟掺杂氧化锡薄膜在50 ℃的NaOH、NaCl、Na2SO4 3种介质溶液中ΔR/R变化值显示出了相同的变化规律,随着浸泡时间的延长,ΔR/R值发生了明显的迅速增大,薄膜导电性能快速下降;氟掺杂氧化锡薄膜在3种介质溶液中的电学稳定性从好到差依次为:NaCl>Na2SO4>NaOH.
关键词：氟掺杂氧化锡薄膜载体材料介质溶液电学稳定性相对电阻变化
分类号：R318(医用一般科学)
资助基金：国家自然科学基金(50902063)云南省应用基础研究计划(2007E191M)云南省教育厅科研项目(08J0011)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 6292-6295 )
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