一定强度静磁场可促进许旺细胞快速分泌神经生长因子
魏凌云
王锐英
唐际存
1.桂林医学院附属医院骨二科,广西壮族自治区桂林市,5410012.桂林医学院附属医院骨二科,广西壮族自治区桂林市,5410013.桂林医学院附属医院骨二科,广西壮族自治区桂林市,541001
摘要：背景：国内外对静磁场加载许旺细胞的研究较少，对其产生的生物学效应尚不清楚。目的：探索静磁场对许旺细胞分泌神经生长因子水平的影响。<br> 方法：将传代良好的许旺细胞随机分为3组，分别为0.05 mT静磁场组、0.1 mT静磁场组、空白对照组。从接种第2天即开始静磁场加载，每天曝磁12 h，空白对照组不进行静磁场加载。加载6 d后利用RT-PCR技术检测许旺细胞中神经生长因子mRNA的表达，ELISA技术检测许旺细胞分泌神经生长因子水平。<br> 结果与结论：静磁场组培养上清中神经生长因子mRNA的表达和分泌神经生长因子水平显著高于空白对照组(P<0.05)；0.1 mT静磁场组神经生长因子mRNA的表达和分泌神经生长因子水平虽高于0.05 mT静磁场组，但是差异无显著性意义(P>0.05)。结果表明一定强度的静磁场可以促进许旺细胞快速分泌神经生长因子。
关键词：干细胞培养许旺细胞神经生长因子静磁场国家自然科学基金
分类号：R394.2(医学遗传学)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 5848-5852 )
英文信息