CdS电子结构和光学性质的研究
李富强
殷春浩
徐婧
行军
1.中国矿业大学理学院,江苏,徐州,2210082.中国矿业大学理学院,江苏,徐州,2210083.中国矿业大学理学院,江苏,徐州,2210084.中国矿业大学理学院,江苏,徐州,221008
摘要：理论计算CdS晶格常数为0.583 2 nm与实验值0.581 8 nm比较,误差小于1%.理论预测CdS是一种直接宽禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处,直接带隙为1.25 eV,比实验值2.42 eV小,这是由于密度泛函理论框架决定的.CdS的下价带主要由Cd的4d电子贡献,上价带主要由S的3p电子形成,CdS的导带主要来源于Cd的5s电子和S的3p电子的贡献.CdS晶体中Cd原子失去电子,为电子的给予体,S原子得到电子,是电子受主,且Cd-S键是共价键.Cd-S距离为2.525 33 A,与实验值0.253 nm相比更加精确.其介电函数虚部与吸收光谱以及介电函数实部与折射率的峰值位置十分接近,说明它们之间存在内在联系,都与电子态密度分布直接相关.
关键词：CdS第一性原理电子结构光学性质
分类号：O561(分子物理学、原子物理学)
资助基金：教育部留学回国人员实验室建设及科研经费资助项目(2003.18)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 76-81 )
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