氨气退火对ZnO纳米线阵列光致发光性质的影响
沈临江
王雷
戚志鹏
1.南京工业大学理学院,南京,2100092.南京工业大学理学院,南京,2100093.南京工业大学理学院,南京,210009
摘要：采用水热方法在Si（100）衬底上制备ZnO纳米线．利用提拉法在Si衬底上首先制备ZnO晶种层，然后利用水热法在晶种层上生长ZnO纳米线．在不同温度下的NH。气氛中，对zn0纳米线进行退火处理．系统地研究了NHs退火对ZnO纳米线光学性质的影响，在低温光致发光光谱中观察到了-9氮受主相关的光发射，并通过自由电子一受主辐射复合光发射确定受主离化能为129meV．实验结果还表明，随着退火温度的升高，施主一受主对辐射复合发光呈现了微弱红移现象．在700℃退火的条件下制备的ZnO纳米线的低温PL谱中，观察到较为明显的自由激子光发射，并采用理论拟合进行证明．
关键词：ZnO纳米线NH3退火光致发光
分类号：O472.3(半导体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(10774076)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 5-9 )
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