Bi掺杂BaSnO3电子结构的第一性原理研究
张旻
汪庆喜
王月花
赵新印
赵娜
1.中国矿业大学理学院,江苏徐州,2211162.中国矿业大学理学院,江苏徐州,2211163.中国矿业大学理学院,江苏徐州,2211164.中国矿业大学理学院,江苏徐州,2211165.中国矿业大学理学院,江苏徐州,221116
摘要：采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，对Bi掺杂钙钛矿BaSnO3电子结构进行了第一性原理的研究．研究结果表明：BaSnO3是一种间接带隙材料，带隙值为0．33eV，掺杂前其光吸收和催化能力都很弱，但掺杂后的Ba1-xBixSnO3是一种直接带隙材料；随着掺杂量的增加，其带隙值和晶格常数都减小；费米面都向高能移动，使得介电函数的虚部的峰值大幅度提高，介电损失减小．掺杂提高了Ba1-xBiSnO3的光吸收和催化能力，表明Ba1-xBiSnO3是一种有前景的光学材料．
关键词：第一性原理密度泛函理论电子能带结构光学性质铁电性
分类号：O482.3(固体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(10947120)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 34-39 )
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