平均空位径向扩散通量对直拉硅单晶空洞演化影响的相场模拟
张向宇1
关小军1
曾庆凯1
潘忠奔2
张怀金2
王进1
1.山东大学材料科学与工程学院,济南,2500612.山东大学晶体研究所,济南,250100
摘要：直拉硅单晶中空洞的大小和数目对其性能有着至关重要的影响.采用已有的与晶体生长温度场有限元模型相耦合的空洞演化相场模型及其应用程序,模拟研究了不同的平均径向扩散通量对直拉单晶硅生长过程中空洞形貌及其分布状态演化的影响规律.结果表明:平均空位径向扩散通量的变化对于空洞演变阶段性及其形貌特征影响不大;随着平均空位径向扩散通量的增加,空洞的孕育阶段缩短,形核长大阶段延长,空洞平均尺寸及分数增加.
关键词：单晶硅直拉法空洞空位径向扩散通量相场模拟
分类号：O78(晶体生长)
资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金(200804220021)
论文发表日期：2013-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 41-45 )
英文信息