基片温度对真空蒸镀Ti/LiNbO3光学薄膜的影响
汤卉
董鹏展
吕杨
1.哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨,1500402.哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨,1500403.哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨,150040
摘要：利用绿色真空蒸镀技术,在不同LiNbO3基片温度下制备Ti光学薄膜,研究不同LiN-bO3基片温度对Ti光学薄膜生长过程的影响,结合薄膜生长与原子迁移理论分析影响机理,优化基片温度.对样品表观形貌与薄膜、晶粒择优生长趋向进行分析.研究结果表明:180℃为5组温度中最合适的基片温度.此条件下,钛薄膜表面存在大量细晶,分布均匀,无晶界迁移,晶粒随机生长、尺寸小,无针孔,钛薄膜表面粗糙度(Rq)低,为25.4 nm,平整度较理想,为后续钛扩散铌酸锂光耦合器的制备提供了保障.
关键词：真空蒸镀Ti光学薄膜基片温度
分类号：O484(固体物理学)
资助基金：黑龙江省科学基金项目(E201130)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 18-21 )
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