初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真
关小军1
关宇昕2
王善文1
1.山东大学 材料科学与工程学院,山东 济南 2500612.奥派咨询有限责任公司,高科技园区,埃因霍温 荷兰 5656AE
摘要：为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O2对不能产生.
关键词：仿真硅晶圆V-O2对初始空位浓度
分类号：TG111(金属学与热处理)
资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金(200804220021)山东大学晶体材料国家重点实验室开放基金(KF1303)
论文发表日期：2020-03-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 6-11 )
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