低温退火温度对硅晶圆内V-O2对介观演变影响的仿真
关小军1
关宇昕2
王善文1
1.山东大学 材料科学与工程学院,山东 济南 2500612.Outpie Partners B.V.高科技园区,埃因霍温 荷兰 5656AE
摘要：为了揭示低温退火温度对硅晶圆内V-O2对介观演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对2个不同温度下退火的硅晶圆中V-O2对演变过程进行了仿真.结果表明:当低温退火温度降低时,V-O2对变化速率减慢、数量减少,这与相应的空位相对浓度演变及其均匀化过程有关.
关键词：仿真硅晶圆V-O2对温度低温退火
分类号：TG111(金属学与热处理)
资助基金：山东大学晶体材料国家重点实验室开放基金(KF1303)
论文发表日期：2021-03-30
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 1-6 )
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