脑深部电刺激伏隔核对海洛因成瘾者抑制控制功能的影响:基于Go/NoGo任务的事件相关电位研究
边仁杰
李婉
葛顺楠
空军军医大学唐都医院神经外科,陕西西安 710038
摘要：目的 探讨脑深部电刺激术(DBS)对药物成瘾患者抑制控制功能的影响.方法 采用64导联脑电记录系统,在视觉Go/NoGo任务中对DBS术前和术后患者进行事件相关电位监测,分析N2、P3成分的幅值与潜伏期.结果 在8名患者的自身前后对照中,N2潜伏期的抑制效应在PZ电极上有显著差异(P＜0.05).术前与术后组间P3波幅比较显示,FZ电极存在显著差异(P＜0.05);抑制效应在FZ、FCZ、CZ电极上的术前与术后组均差异显著(P＜0.05).P3潜伏期方面,Lapse(术后复吸)在PZ电极的NoGo-P3潜伏期上存在显著差异(P＜0.05).在15例患者的组间对照中,与Go刺激相比,前部脑区(FZ、FCZ、CZ)NoGo刺激诱发的P3波幅更大(P＜0.05),这与P3成分参与反应抑制的作用相符.P3d波幅在术前与术后组间显著差异(P＜0.05),术后NoGo-P3d波幅高于术前;未复吸患者的P3d波幅大于复吸患者(P＜0.05).结论 DBS-NAc治疗可在一定程度上改善海洛因成瘾患者的抑制控制功能,为阐明DBS术后认知功能变化的神经生理机制提供了证据.
关键词：脑深部电刺激物质相关障碍海洛因依赖抑制心理Go/NoGo任务事件相关电位P300神经生理学伏隔核
分类号：R749.61(精神病学)
资助基金：国家自然科学基金(82171489)
论文发表日期：2026-02-28
在线出版日期：2026-08-26（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 256-262 )
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