激光诱导化学气相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子研究
凤雷
郑韬
李道火
1.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,2300312.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,2300313.中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031
摘要:给出激光化学气相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为10nm左右的优良a-Si3N4纳米粒子.红外吸收和拉曼光谱研究表明,a-Si3N4纳米粒子中存在Si-N,Si-H,N-H,Si-O-Si键,分析了a-Si3N4纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况.
关键词:非晶态氮化硅纳米粒子激光化学气相沉积法
分类号:O6(化学)
论文发表日期:1999-01-01
在线出版日期:2026-05-22(本平台首次上网日期,不代表文献的发表时间)
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中国粉体技术

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北大核心CSTPCD
ISSN:1008-5548
年,卷(期):1999,5(3)
所属栏目:理论研究