一种用于制备纳米SiC/Si3N4复合粉体的CVD新工艺的热力学分析
全学军1
Shoichi Kimura2
1.四川大学(西区)粉体研究所,四川,成都,610065,中国2.俄勒冈州立大学,美国
摘要：综述了SiC/Si3N4复合粉体的力学性能和制备方法,提出了一种制备纳米级SiC/Si3N4复合粉体的新方法,并通过热力学分析提出了合成条件.
关键词：碳化硅(SiC)氮化硅(Si3N4)复合粉体化学气相沉积工艺(CVD)热力学分析
分类号：TQ029(一般性问题)
论文发表日期：2000-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 14-20 )
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