碳化硅超细粉的制备新法
戴长虹1
水丽2
1.青岛化工学院电镜室,2.沈阳工业学院 ,
摘要：用一种新的方法——双重加热法制备了直径在50～6 0nm范围内的SiC超细粉，用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对 SiC超细粉进行了表征。研究结果表明，用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为1 350℃，恒温时间为60min，SiC超细粉的产率可达98％(质量分数)左右。
关键词：碳化硅超细粉制备
分类号：TQ127.1+2(非金属元素及其无机化合物化学工业)
论文发表日期：2001-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 10-11 )
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