锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率
杨建广
唐谟堂
张保平
唐朝波
杨声海
1.中南大学,冶金科学与工程学院,湖南,长沙,4100832.中南大学,冶金科学与工程学院,湖南,长沙,4100833.中南大学,冶金科学与工程学院,湖南,长沙,4100834.中南大学,冶金科学与工程学院,湖南,长沙,4100835.中南大学,冶金科学与工程学院,湖南,长沙,410083
摘要：归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流子是ATO导电的两种主要机理.从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限.掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×104(Ω·cm)-1,大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×104(Ω·cm)-1).
关键词：锑掺杂二氧化锡电导率导电机理
分类号：TB34(工程材料学)TB43(工业通用技术与设备)
资助基金：国家自然科学基金(502340l0)
论文发表日期：2004-06-05
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1-4 )
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