制备低团聚掺锑氧化锡超细粉体的新方法
吴湘伟
陈振华
黄培云
1.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,4100822.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,4100823.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083;湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082
摘要：以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,用醇盐水解法制备了纳米掺锑氧化锡(ATO)导电粉体.用正丁醇二甲苯的混合溶剂共沸蒸馏、有机脱水剂以及其它方法对前驱体胶态沉淀进行脱水处理,以消除粉体团聚.运用XRD、TEM、BET等手段对粉体进行表征,比较了各种脱水处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响.结果表明,混合溶剂共沸蒸馏处理以及有机脱水剂是比较有效的脱水方法,可以用来制备比表面积大(85.32m2·g-1)、团聚小、电阻率低的纳米ATO导电粉体.
关键词：掺锑氧化锡纳米导电粉体团聚脱水
分类号：TQ174(硅酸盐工业)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 7-11 )
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