自蔓燃高温合成氮化硅粉体的研究
李金富1
常永威1
李康1
王正军2
段关文1
王拥军1
1.中国兵器工业第五二研究所烟台分所,山东,烟台,2640032.宿迁学院,江苏,宿迁,223800
摘要：研究了自蔓燃高温合成方法制备氯化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氯化硅过程中硅粉粒度、氯气、温度、稀释剂与孔隙率等方面对反应产物的影响,并对反应机理进行了分析.由于有添加剂氯化铵的存在,反应中不是单纯的硅粉氮化反应.只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制、中温机制、高温机制;氯气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行金属硅粉的粒度细,合成的Si3N4中α相含量高.
关键词：自蔓燃高温合成氮化硅粉体反应机理
分类号：TB383(工程材料学)
资助基金：国家科技攻关计划(2003DFBA0010)
论文发表日期：2006-11-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 12-16 )
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