锑掺杂氧化锡包覆氧化钛浅色导电粉的过程与模型
王剑华1
彭关怀2
孔令彦1
郭玉忠1
1.昆明理工大学,云南省新材料制备与加工重点实验室,云南,昆明,6500932.赣南师范学院,化学与生命科学学院,江西,赣州,341000
摘要：为了掌握沉淀反应包覆掺锑氧化锡膜形态和工艺参数对导电粉电阻率的影响规律,本文中详细研究了采用沉淀法在氧化钛表面包覆掺锑氧化锡的过程.通过采用透射电镜观察包覆产物结构,并对不同pH值下的包覆产物进行了光电子能谱分析.结合氧化钛和氧化锡水溶液的Zeta电位,提出了包覆过程和模型.结果表明:包覆过程是先均相形核,然后锡溶胶靠静电引力与范德华力共同作用吸附在氧化钛表面;当沉淀pH＝2时,氧化锡以直径为5nm胶粒单层密排在氧化钛表面.此时导电粉具有最佳导电性.
关键词：导电粉掺锑氧化锡包覆
分类号：O654.2(分析化学)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 24-29 )
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