掺钇(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3电容器陶瓷抗还原性的研究
齐晓敏
滕元成
陈堃
曾冲盛
1.西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室,四川,绵阳,6210102.西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室,四川,绵阳,6210103.西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室,四川,绵阳,6210104.西南科技大学先进建筑材料四川省重点实验室,四川,绵阳,621010
摘要：对掺钇的(Ba,Ca)(Ti,Zr)O3(BCTZ)电容器陶瓷进行了抗还原性研究,研究了不同摩尔分数的钇的掺杂对BCTZ电容器陶瓷的介电性能、显微结构和密度的影响.结果表明,随着Y2O3掺杂量的增加,BCTZ陶瓷的室温介电常数、介质损耗逐渐减小,居里温度向低温方向移动,同时绝缘电阻率升高,BCTZ陶瓷抗还原性能提高;Y2O3的掺入能够促进BCTZ陶瓷的致密化,并有利于抑制BCTZ陶瓷的晶粒生长.
关键词：钛酸钡抗还原性钇介电性能
分类号：TM223(电工材料)TM534(电器)
资助基金：四川省教育厅资助项目(2006A102)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 39-41,49 )
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