自蔓燃高温合成工艺参数对制备氮化硅粉体的影响
王正军
刘莲香
1.宿迁学院,计算科学系,江苏,宿迁,2238002.宿迁学院,计算科学系,江苏,宿迁,223800
摘要：采用自蔓燃高温合成方法(SHS)合成氯化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等工艺参数对合成产物的影响.结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂来控制反应温度,获得高α相Si3N4含量的粉体.压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.
关键词：自蔓燃高温合成氮化硅工艺参数
分类号：TB383(工程材料学)
资助基金：国家科技攻关计划(2003DFBA0010)
论文发表日期：2008-07-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 1-3 )
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