超高压成型对碳化硅陶瓷微观结构的影响
熊昆1
徐光亮1
宋春军2
李冬梅1
1.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,6210102.西南科技大学,材料科学与工程学院,四川,绵阳,621010;中国科学院,合肥固体物理研究所,安徽,合肥,230031
摘要：以两面顶为成型设备.利用其超高压力(4.5GPa)采提高素坯的相对致密度,从而降低坯体的烧结温度、缩短烧结时间.并制备出高致密度的细晶碳化硅陶瓷.结果表明,经超高压成型后,碳化硅素坯的平均相对致密度为65.7%.与冷等静压成型后的坯体(45.5%)相比,提高了大约20%.在低压流动氯气保护下,超高压成型的坯体于1 900℃下无压烧结30min,烧结体的致密度达到了98.3%,其晶粒尺寸在200nm左右.
关键词：碳化硅超高压成型无压烧结微观结构
分类号：TQ174.75+8(硅酸盐工业)
资助基金：国防基础科研项目(A3120061156)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 30-33 )
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