碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响
孙守振
王林勇
奚西峰
1.西安交通大学能源与动力工程学院,陕西,西安,7100492.西安交通大学能源与动力工程学院,陕西,西安,7100493.西安交通大学能源与动力工程学院,陕西,西安,710049
摘要：研究不同粒度分布的碳化硅磨料时线切割硅片表面损伤的影响.利用激光粒度仪和扫描电镜对切割前后碳化硅粒径的变化及切割后硅片的形貌进行表征,通过实际切割过程分析.指出粒度分布不均引起的局部切割堵塞而导致的垂直于切割方向的左右侧滑振动.是导致表面损伤的主要因为.结果表明:当碳化硅的粒度分布窄时,线切割硅片表面损伤层浅,表面粗糙度小.
关键词：磨料碳化硅粒径分布线切割
分类号：TB44(工业通用技术与设备)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 52-54,58 )
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