导电硅藻土粉体制备及性能研究
杜玉成
颜晶
孟琪
李扬
1.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,1001242.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,1001243.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,1001244.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100124
摘要：采用化学共沉淀法制备硅藻土表面包覆锑掺杂二氧化锡导电粉体,并对制备工艺条件进行详细研究；采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜时样品进行表征,采用四探针仪测试样品导电性能.结果表明:最佳的制备工艺条件为:溶液温度40℃、反应时间1h、pH为1、Sn4+与Sb3+的物质的量比为8:1、包覆率为38％、700℃下煅烧1h.硅藻土表面形成厚度为30 nm左右的金红石结构的均匀包覆层,样品体积电阻率最低可达18 Ω.cm.
关键词：硅藻土化学共沉淀导电性能
分类号：TB34(工程材料学)
论文发表日期：2011-07-02
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 41-44,60 )
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