Si掺杂锐钛矿相TiO2的电子能带结构
郑树凯
吴国浩
王芳
刘磊
1.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究中心,河北保定0710022.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究中心,河北保定0710023.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究中心,河北保定0710024.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究中心,河北保定071002
摘要：利用基于密度泛函理论的第一性原理方法对Si掺杂前、后锐钛矿相TiO2的电子能带结构、电子态密度以及吸收光谱进行计算.结果表明,Si掺杂导致锐钛矿相TiO2的禁带宽度略增大0.048 eV；掺杂前锐钛矿相TiO2的价带和导带主要由O的2p和Ti的3d轨道构成,Si掺杂后其价带和导带主要由Si的3p、Ti的4s和Ti的3d轨道构成；Si掺杂可导致锐钛矿相TiO2的吸收边蓝移.
关键词：密度泛函理论锐钛矿电子能带
分类号：TG146.4(金属学与热处理)
资助基金：河北大学自然科学研究项目(E2012201088)
论文发表日期：2012-10-31
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 36-38 )
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