SiC和Si3N4粉体的太赫兹时域光谱研究
韩建龙
邱桂花
张瑞蓉
潘士兵
黄成亮
于名讯
1.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,2500312.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,2500313.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,2500314.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,2500315.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,2500316.中国兵器工业集团第五三研究所,山东济南,250031
摘要：采用太赫兹时域光谱装置测试SiC和Si3N4粉体在0.4～2.4 THz的透射光谱,研究SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的吸收性能与其电导率的关系,分析SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的散射特性.结果表明,SiC是一种半导体材料,其内部含有较多可以自由移动的载流子,对太赫兹波的吸收较强；Si3N4是绝缘性很好的材料,对太赫兹波的吸收很小；SiC和Si3N4粉体对太赫兹波的散射作用属于瑞利散射,但是测试波长比粉体粒径大得多,散射效果不明显.
关键词：太赫兹波太赫兹时域光谱吸收电导率散射
分类号：O436.2(光学)
论文发表日期：2013-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 62-65 )
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