N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算
史茹倩1
郑树凯2
周鹏力1
何静芳1
闫小兵1
刘磊2
1.河北大学电子信息工程学院,河北保定,0710022.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究与器件模拟中心,河北保定071002
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征、N单掺杂、Al单掺杂及N-Al共掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质.结果表明:N-Al共掺杂导致4H-SiC晶格膨胀,4H-SiC的禁带宽度减小,同时在4H-SiC禁带中引入了杂质能级;N、Al的单掺杂增加了4H-SiC对红外波段和可见光波段的响应,N-Al共掺杂不存在该现象;N-Al共掺杂4H-SiC较本征4H-SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H-SiC的.
关键词：第一性原理掺杂光学性质
分类号：O641.12+1(物理化学（理论化学）、化学物理学)
资助基金：河北省自然科学基金(E2012201088)河北省自然科学基金(F2013201196)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 70-75 )
英文信息