In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算
闫小兵
史守山
郝华
1.河北大学电子信息工程学院,河北保定,0710022.河北大学电子信息工程学院,河北保定,0710023.河北大学电子信息工程学院,河北保定,071002
摘要：利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究本征ZnO、In和Ga分别单掺杂及In-Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.结果表明:In掺杂的ZnO晶胞体积减小,Ga掺杂的ZnO晶胞体积增大,In-Ga共掺杂的ZnO晶胞体积增大是由掺入的Ga决定的;在ZnO禁带中引入杂质能级,禁带宽度变小,导电能力提高;In-Ga共掺杂后,ZnO吸收带边红移,在波长为302.3～766.8 nm的可见光范围内吸收减弱.
关键词：In-Ga共掺杂电子结构光学性质第一性原理
分类号：TG146.4(金属学与热处理)
资助基金：国家自然科学基金(61306098)河北省自然科学基金(E2012201088)河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019)河北省保定市科学技术研究与发展计划(11ZG030)河北大学自然科学研究项目(2011-219)
论文发表日期：2014-09-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 33-36 )
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