In-As共掺杂GaSb的第一性原理研究
刘宝元1
马蕾2
张雷1
周鹏力1
何静芳1
1.河北大学电子信息工程学院,河北保定,0710022.河北大学电子信息工程学院,河北保定071002;河北大学计算材料研究中心,河北保定071002
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算未掺杂,In、As单掺及In-As共掺GaSb的晶格参数、能带结构、态密度和吸收光谱.结果表明:掺杂后GaSb晶格发生畸变,As单掺GaSb的晶格常数增大,带隙减小,导致吸收光谱蓝移;而In单掺和In-As共掺GaSb晶格常数变大,且禁带宽度均减小,致使吸收光谱红移,这也是实验上造成掺杂GaSb热光伏电池吸收光谱扩展的原因.
关键词：第一性原理掺杂电子结构
分类号：TG146.2+3(金属学与热处理)
资助基金：国家自然科学基金(61306098)河北省高等学校技术研究项目(2011237)
论文发表日期：2014-09-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 37-41 )
英文信息