晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响
王楠1
王晓刚2
邓丽荣
杨家庆
王嘉博
1.西安科技大学材料科学与工程学院,陕西西安,7100542.西安科技大学陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心,陕西西安,710054
摘要：研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W25、3C-W10、6H-W25、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30～1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征.结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3C-W2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成.
关键词：SiC粉体氧化性能化学成分
分类号：TQ174(硅酸盐工业)
资助基金：国家自然科学基金(51074123)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 14-16,25 )
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