Sr-F共掺杂CeO2紫外屏蔽性能的第一性原理计算
张明举1
李文明1
吴一2
郑树凯1
1.河北大学电子信息工程学院,河北 保定 071002;河北大学计算材料与器件模拟研究中心,河北 保定 0710022.河北大学电子信息工程学院,河北 保定,071002
摘要：采用基于密度泛函理论(DFT)下的的第一性原理,通过Sr原子代替Ce原子、F原子替代O原子,建立同等条件下纯净的、Sr单掺杂、Sr-F共掺杂的2×2×1模型,并对其晶体结构进行优化,计算并分析了体系的几何结构、能带结构、态密度和紫外屏蔽特性.计算结果表明:掺杂导致晶格体系发生畸变,体积增大;引入了杂质能级,能带变密,禁带宽度增大;CeO2紫外屏蔽增强,吸收谱线蓝移,紫外吸收阈值取决于O原子的2p轨道电子激发到Ce原子4f轨道空带.
关键词：Sr-F共掺杂紫外吸收第一性原理
分类号：O472+.3(半导体物理学)
资助基金：国家自然科学基金(61306098)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
英文信息