低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用
张东
赵琰
宋世巍
李昱材
王健
毕孝国
1.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,1101362.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,1101363.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,1101364.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,1101365.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,1101366.沈阳工程学院新能源学院,辽宁沈阳,110136
摘要：采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓(GaN)薄膜材料.实验结束之后,利用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜系统性对实验制备的薄膜样品进行测试分析,探究引入低温缓冲层与无缓冲层以及改变缓冲层沉积温度对GaN薄膜质量的影响.结果表明,低温缓冲层的制备,对后续的薄膜样品沉积制备起到减小晶格失配的作用,而且低温缓冲层沉积温度在100℃时,沉积制备的薄膜样品呈高度c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面平整.
关键词：ECR-PEMOCVD系统氮化镓薄膜自支撑金刚石厚膜缓冲层温度
分类号：TN304.2(半导体技术)
资助基金：国家自然科学基金(51472047)辽宁省自然科学基金(20170540664)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 78-81 )
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