多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉
邓丽荣1
王晓刚1
陆树河1
樊子民1
王嘉博2
王行博2
裴志辉2
1.西安科技大学材料科学与工程学院,陕西西安710054;西安博尔新材料有限责任公司,陕西西安7100892.西安博尔新材料有限责任公司,陕西西安710089
摘要：采用多热源真空合成法,以纯度分别为99％(质量分数,以下同)、90.87％的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-SiC微粉.实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响.结果 表明:碳与硅物质的量比为1.05∶1时,合成的3C-SiC微粉SiC的纯度达到99.99％;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显著,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-SiC微粉,微粉的平均粒径D50可达21.7 μm;在1 300～1 800℃内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3.212 g/cm3.
关键词：多热源真空合成法高纯度高密度大粒径3C-SiC微粉
分类号：TQ174(硅酸盐工业)
资助基金：国家自然科学基金(51074123)陕西省科技统筹项目(2016KTCQ01-97)
论文发表日期：2020-04-25
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 29-34 )
英文信息