纳米聚吡咯对硅烷膜耐蚀性的影响
许潇雨
李丽
王建荣
段广彬
济南大学材料科学与工程学院,山东济南250022
摘要：采用化学原位聚合法制备纳米级聚吡咯(PPy),对硅烷偶联剂KH-792进行掺杂改性,以提高硅烷膜的耐蚀性.通过电化学阻抗谱(EIS)确定聚吡咯对于硅烷溶液的最佳掺杂量,即得到耐蚀性最佳的改性硅烷膜,将此改性硅烷膜浸泡腐蚀不同时间,并与相同腐蚀条件下的单一硅烷膜比较,通过电化学阻抗谱及等效拟合电路数据,探讨改性硅烷膜的耐蚀机理.结果 表明,PPy改性KH-792硅烷膜与单一KH-792硅烷膜相比,耐蚀性明显提高,约为单一硅烷膜的4倍.改性硅烷膜在腐蚀初期的耐蚀性主要来自膜层的机械屏蔽作用,腐蚀中后期则是聚吡咯在基片表面形成了钝化膜.
关键词：纳米聚吡咯硅烷膜耐蚀性电化学
分类号：TG174.4(金属学与热处理)
资助基金：国家自然科学基金(51501072)
论文发表日期：2021-12-25
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 70-74 )
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