纳米粉体高分辨成像的荷电效应与应对策略
孙千1
高尚2
黄梦诗2
马清3
关康1
彭诚1
1.华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州5106402.哈尔滨工业大学(深圳)材料科学与工程学院,广东深圳5180553.哈尔滨工业大学(深圳)实验与创新实践教育中心,广东深圳518055
摘要:为应对纳米粉体在扫描电镜成像中出现的荷电效应,分析荷电效应的形成机理;推导样品与入射电子束响应之间的关系式,揭示样品表面累积的有效电荷密度与电流、每帧扫描时间、放大倍率和电子总产额的关系;在荷电场达到近似于稳态后,建立表面累积电势与束流、放大倍数、电阻率以及电子总产额的关系表达式;分析缓解或消除荷电效应的各种措施的利弊,揭示当代场发射扫描电镜的低电压和高分辨的成像能力,探索场发射扫描电镜的较佳成像策略.结果表明:根据关系表达式可以指导电镜参数设置或者探测器的选择,以克服荷电现象;对纳米粉体表面镀导电膜虽然可以消除荷电效应,但会影响观察纳米粉体的真实形貌;现代场发射扫描电镜能够实现低电压、高分辨成像,可以克服镀膜对粉体形貌造成的影响.
关键词:纳米粉体扫描电镜高分辨成像荷电效应低电压
分类号:TG115.21+5.3(金属学与热处理)TQ577.7+7(感光材料工业)
资助基金:国家自然科学基金(51702100)教育部卓越工程师教育培养计划项目产学合作协同育人项目(201802284007)
论文发表日期:2022-08-25
在线出版日期:2026-05-22(本平台首次上网日期,不代表文献的发表时间)
页数:9( 70-78 )
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