经颅低频电刺激对急性局灶性脑缺血大鼠缺血区单胺类递质的影响
邓志宽1
叶建宁1
徐锁全2
1.第三军医大学附属新桥医院神经内科,重庆市,4000372.中国人民解放军第253医院儿科,内蒙古呼和浩特市,010017
摘要：目的 观察经颅低频电刺激对急性局灶性脑缺血模型大鼠缺血区单胺类递质的影响.方法 选取健康成年雄性Wist-ar大鼠30只,体重200～250 g,随机分为假手术组、假手术刺激组,模型组,各5只,以及电刺激组15只,电刺激组又根据不同刺激电压分为10 V组、30 V组和50 V组,各5只.应用线柃法建立大脑中动脉闭塞模型.造模成功后,立即以感觉皮质为中心,在双侧安置刺激电极并固定.电刺激组在持续缺血后1 h,假手术刺激组在假手术后1 h,应用脑电场刺激仪行经颅低频电刺激,刺激频率30 Hz,刺激波形为正弦波,刺激持续时间1 h.应用荧光分光光度法分别测定大鼠缺血区脑组织内多巴胺(DA)、去甲肾上腺索(NE)和5-羟色胺(5-HT)含量.结果 与假手术组相比,假手术刺激组单胺类递质无明显变化(均P>0.05),模型组大鼠DA、NE及5-HT含量明显下降(均P<0.01).与假手术组比较,电刺激10 V组及30 V组于电刺激治疗1 h后,DA、NE及5-HT含量均无明显改变(均P>0.05),而电刺激50 V组大鼠额叶脑组织内DA、NE及5-HT含量增高(均尸<0.05).结论 一定强度的经颅低频电刺激可使局灶性脑缺血区单胺类递质含量增高.
关键词：经颅低频电刺激大脑中动脉闭塞单胺
分类号：R743.3(神经病学与精神病学)
论文发表日期：2008-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 1136-1138 )
英文信息