脑缺血再灌注后神经细胞凋亡机制及药物保护作用的研究进展
汪莹1
许栋明2
王文1
高东明3
张丽1
艾厚喜1
李林1
1.首都医科大学宣武医院,北京市,1000532.科技部火炬高新技术产业开发中心,北京市,1000383.辽宁医学院,辽宁锦州市,121000
摘要：脑缺血再灌注导致神经元损伤,凋亡相关基因及蛋白被激活,与此同时机体内释放大量的细胞因子诱发凋亡发生.目前研究表明,脑缺血再灌注后神经细胞凋亡的主要机制为线粒体损伤、钙超载及氧自由基的累积等.通过对以上机制的深入研究有助于开发新的脑保护药物,并进一步明确各种脑保护药物的治疗靶点和疗效.
关键词：缺血再灌注神经细胞凋亡药物综述
分类号：R743(神经病学与精神病学)
资助基金：重大新药创制"科技重大专项(2009ZX09103-366)国家自然科学基金(30973893)北京市自然科学基金(7102077)
论文发表日期：2010-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1140-1143 )
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