电刺激大鼠上矢状窦旁硬脑膜后血浆降钙素基因相关肽和P物质的变化
董钊
姜磊
于生元
1.解放军总医院神经内科,北京市,1008532.解放军总医院神经内科,北京市,1008533.解放军总医院神经内科,北京市,100853
摘要：目的观察电刺激上矢状窦旁硬脑膜对大鼠血浆降钙素基因相关肽(CGRP)和P物质浓度的影响.方法 13只大鼠随机分为对照组(n=6)和电刺激组(n=7).对照组行假刺激,电刺激组以20 Hz、4 mA和250μs的方波电流刺激上矢状窦旁硬脑膜,使用放射免疫法比较血浆CGRP和P物质的浓度.结果对照组与电刺激组的血浆CGRP浓度相比有显著性差异(50.60±7.16 pg/ml vs 42.20±4.82 pg/ml,P=0.029),而血浆P物质浓度相比无显著性差异(308.59±43.07 pg/ml vs 264.60±60.28pg/ml,P=0.165).结论电刺激上矢状窦旁硬脑膜能够降低大鼠血浆CGRP浓度,而P物质浓度无明显变化.
关键词：电刺激上矢状窦降钙素基因相关肽P物质大鼠
分类号：R245(中医临床学)R338(人体生理学)
论文发表日期：2011-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 334-336 )
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