低频重复经颅磁刺激对脑卒中后记忆及认知功能的影响
芦海涛
孙莉
郭华珍
张通
1.首都医科大学康复医学院，北京市100068; 中国康复研究中心博爱医院神经康复科，北京市1000682.首都医科大学康复医学院，北京市100068; 中国康复研究中心博爱医院神经康复科，北京市1000683.首都医科大学康复医学院，北京市100068; 中国康复研究中心博爱医院神经康复科，北京市1000684.首都医科大学康复医学院，北京市100068; 中国康复研究中心博爱医院神经康复科，北京市100068
摘要：目的：观察低频重复经颅磁刺激(rTMS)刺激右侧前额叶背外侧皮层对脑卒中患者认知及记忆功能的影响。方法脑卒中后记忆功能障碍患者40例，随机分为磁刺激组(n=19)和假刺激组(n=21)，分别接受真假1 Hz rTMS治疗。所有患者在治疗前、治疗结束后和治疗结束2个月后分别用蒙特利尔认知评估量表(MoCA)中文版、洛文斯顿作业疗法认知评估(LOTCA)及行为记忆量表(RBMT)进行测评。结果两组在治疗后及治疗结束2个月时，MoCA、LOTCA及RBMT评分均有显著升高(P<0.001)，磁刺激组改善程度明显优于假刺激组(P<0.01)。结论低频rTMS可以改善脑卒中后认知及记忆功能障碍。
关键词：脑卒中重复经颅磁刺激记忆认知
分类号：R743.3(神经病学与精神病学)
资助基金：1.中国康复研究中心课题(No.2012-22)中央级公益性科研院所基本科研业务费专项资金(No.2013CZ-48)
论文发表日期：2015-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1074-1077 )
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