刺激参数对事件相关电位P300结果的影响
毛春燕
孙莉
袁远
1.北京大学人民医院神经内科,北京市,1000442.北京大学人民医院神经内科,北京市,1000443.北京大学人民医院神经内科,北京市,100044
摘要：目的：探讨改变P300靶刺激概率对事件相关电位P300潜伏期和波幅的影响。方法2014年1~12月就诊的记忆力减退患者35例，分别进行靶刺激概率为0.10和0.25的事件相关电位P300检查，分析P300波的潜伏期、波幅及波幅下面积。结果两种靶刺激概率下，P300潜伏期无显著性差异(t<0.256, P>0.800)，波幅和波幅下面积均有显著性差异(t>4.259, P<0.05)。结论低概率靶刺激可能由于提高了患者的注意力而使波幅增高。P300潜伏期不易受患者注意力干扰，是判断认知功能最重要的指标。
关键词：刺激参数靶刺激概率事件相关电位P300潜伏期波幅波幅下面积
分类号：R741.044(神经病学)
论文发表日期：2016-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 821-823 )
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