褪黑素和6-羟褪黑素保护神经细胞抗缺血再灌注损伤比较研究
王忠强1
陈忠庆1
唐忠志1
段秋红2
王西明2
1.广州军区武汉总医院急诊科,湖北,武汉,4300702.华中科技大学同济医学院生物化学与分子生物学系,湖北,武汉,430030
摘要：目的 研究褪黑素(Mel)和6-羟褪黑素(6-OHMel)神经保护作用及作用机理.方法 体外培养N2a细胞,模拟缺血再灌注(OGSD),加入Mel和6-OHMel,检测以下指标:①细胞生存能力:MTT法、乳酸脱氢酶释放;②细胞凋亡分析:DNA片断化,细胞色素C,Caspase 3活性;③活性氧(ROS)和线粒体跨膜电位.结果 ①Mel和6-OHMel都能减轻OGSD诱导的N2a细胞损伤,Mel的作用强于6-OHMel.②Mel和6-OHMel均能抑制细胞色素C释放,但6-OHMel强于Mel.③Mel和6-OHMel都能稳定线粒体跨膜电位,但Mel作用时间比6-OHMel长.④Mel和6-OHMel能清除ROS,6-OHMel表现为直接作用,Mel表现为间接作用.⑤Mel和6-OHMel均能抑制caspase 3的活性,但是作用时间不同.6-OHMel表现在OGSD后12 h,Mel在OGSD后24 h.结论 Mel和6-OHMel的神经保护作用与其抗氧化、稳定线粒体功能相关,Mel的作用机制更复杂.
关键词：褪黑素6-羟褪黑素神经元缺血再灌注细胞色素C线粒体跨膜电位
分类号：Q786(基因工程（遗传工程）)R651.1+5(外科学各论)R285.5(中药学)
论文发表日期：2006-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 739-742 )
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