脑积水第三脑室底造瘘术后发热原因分析及防治策略
陈涛
徐永革
赵虎林
田增民
王洪伟
卢旺盛
1.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,1000372.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,1000373.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,1000374.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,1000375.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,1000376.中国人民解放军海军总医院全军神经外科中心,北京,100037
摘要：目的 分析脑积水内镜第三脑室底造瘘术(ETV)后发热原因并探讨防治策略.方法 回顾性分析2004年1月～2007年1月应用ETV治疗的48例非交通性脑积水病人术后体温变化规律,分析ETV术后出现发热的原因.结果 30例(62.5%)术后体温高于38℃,其中29例为术后吸收热或中枢性发热,体温在1周内恢复正常;1例为颅内感染引起,治疗后痊愈.结论 术前、术中尽可能减少引起术后发热的因素.可减少脑积水ETV术后发热的发生率.
关键词：脑积水第三脑室底造瘘术发热
分类号：R742.7(神经病学与精神病学)R651.1(外科学各论)
论文发表日期：2007-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 463-464 )