发光二极管的进一步发展

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DOI: 10.3969/j.issn.1002-6150.2001.01.007

发光二极管的进一步发展

张粹伟

七七二厂六分厂,南京市,210009

摘要：本文公布俄罗斯学者耳.穆.科哈恩的论文发表后,完成的课题研制结果.作者认为,新型异结构发光二极管的问世,与GaInAlP(λmax=630和575nm)和GaInN(λmax=526和475nm)密切相关.

机标关键词：发光二极管论文发表俄罗斯学者课题结构

论文发表日期：2001-01-01

在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）

页数：5( 22-26 )

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中国照明电器

中国照明电器

ISSN：1002-6150

年,卷(期)：2001,(1)

所属栏目：国外报道