提高GaN基发光二极管外量子效率的途径
李为军
国家电光源质量监督检验中心(上海)、国家灯具质量监督检验中心、上海时代之光照明电器检测有限公司,上海,200233
摘要：发光二极管(LED)的低外量子效率严重制约了LED的发展,本文主要介绍了提高GaN基LED外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术、分布布拉格反射层(DBR)结构、改变LED基底几何外形来改变光在LED内部反射的路径、表面粗化处理,以及新近的光子晶体技术和全息技术等.并对纳米压印与SU8相结合技术在提高LED外量子光效率方面进行了初步探索.
关键词：外量子效率芯片非极性面/半极性面生长技术分布布拉格反射层(DBR)结构光子晶体技术和全息技术纳米压印技术与SU8技术
论文发表日期：2010-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 15-20 )
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