LED芯片相关专利简介
陶梅
摘要： 1 LED晶片的制造方法
公开(公告)号:JP101320777
摘要:本发明提供一种LED晶片的制造方法,在其工序上,可以轻易且有效地去除在形成氮化物类半导体层时所使用的蓝宝石基板.本发明的LED晶片的制造方法是用以制造具有氮化物类半导体层的LED晶片的方法,其特征为具有化学蚀刻工序:对于具有在蓝宝石基板上形成有氮化物类缓冲层,且在该氮化物类缓冲层上形成有氮化物类半导体层的构造的LED晶片构造体,通过化学蚀刻将氮化物类缓冲层去除.
机标关键词：LED芯片氮化物制造方法晶片缓冲层化学蚀刻体层蓝宝石
论文发表日期：2010-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 24-25 )
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