LED相关专利简介
陶梅（摘）
不详
摘要：1纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法公开（公告）号：CN102610715A摘要：一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n—GaN层；步骤3：在n—GaN层上通过纳米技术制作CaN纳米线模板；步骤4：在CaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长n—GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n—GaN层内，形成台面；步骤8：在n—GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在n—GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droon效应，增加LED的发光效率。
关键词：氮化镓发光二极管白光发光二极管InGaN外延生长专利D相刻蚀深度纳米线
分类号：TN3(半导体技术)
论文发表日期：2012-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 24-25 )
英文信息