LED芯片漏电原因分析
杨冲
王忆
林海恋
1.五邑大学应用物理与材料学院,广东江门,5290202.五邑大学应用物理与材料学院,广东江门,5290203.五邑大学应用物理与材料学院,广东江门,529020
摘要：LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师.从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;钝化层沉积时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;芯片切割裂片时,切割裂片工艺以及芯片成品包装时可能带来的芯片潜在漏电原因.
关键词：芯片制造工艺漏电参数(IR)漏电原因
资助基金：2012年度江门市LED产业发展专项资金(江财工[2012]326)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 8-10 )
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