AgGaS2晶体生长研究进展
吴小娟
中国民用航空飞行学院计算机学院,四川广汉,618307
摘要：综合报道了国内AgGaS2晶体生长的研究进展.单相高纯的AgGaS2多晶材料主要采用两温区气相输运温度振荡法和普通输运法合成.垂直Bridgman法是生长完整、大尺寸的AgGaS2单晶体主要方法.其中又可分为籽晶定向法和三温区坩埚下降法.同时简单介绍了一种新型的合成生长一体化的生长方法.表明国内AgGaS2晶体的生长工艺基本稳定有效,为进一步的器件制作和应用提供了保障.
关键词：硫镓银多晶合成单晶生长
分类号：O78(晶体生长)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 20-23 )
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